由于其超宽的禁带宽度，宽禁带半导体氧化镓 (Ga2O3)是一种在日盲紫外探测领域很有前途的材料。然而，器件中内建电场对光生载流子的分离范围有限，基于Ga2O3的自供电日盲紫外探测器的响应度和探测率不足以满足实际应用。

近日，我院王辉教授课题组针对此问题，研究了p-GaN/CuO/n-Ga2O3 异质结日盲紫外探测器，借助双内建电场的叠加耦合效应，提升光生载流子的高效分离和传输，从而提高探测器的响应速度。本探测器对254 nm的紫外光较优异的响应能力，具有较高的响应度和探测率，在实际应用中表现出了优异的热稳定性和储存能力。本研究为构建光电应用的高灵敏度的探测器提供了一种可行的策略。相关研究成果发表在国际物理期刊《Optics and Laser Technology》上，论文题目为“The influence of deposition pressure on the physical properties of Ga2O3 films and the high responsivity self-powered DUV photodetector based on n-Ga2O3/CuO/p-GaN heterojunction”。我校硕士生张献为第一作者，王辉教授、赵洋副教授为通讯作者。（通讯员/赵洋）

图1：不同偏压下的响应度和快速响应时间